[더테크 서명수 기자]  SK하이닉스가 차세대 AI 메모리 시장의 판도를 바꿀 초고성능 메모리 신제품 HBM4 개발을 마치고, 세계 최초로 양산 체제를 구축했다고 12일 밝혔다.

특히 이번 성과는 김주선 SK하이닉스 AI Infra 사장(CMO)이 강조해온 “AI 메모리 풀 스택 공급자로의 도약” 전략의 핵심 이정표라는 점에서 업계의 주목을 받고 있다. 김 사장은 “HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점으로, 향후 글로벌 시장에서 당사의 기술 리더십을 강화하는 핵심 제품이 될 것”이라고 말했다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 속도를 크게 높인 고부가가치 제품으로, AI·데이터센터 분야에서 핵심적인 역할을 하고 있다. SK하이닉스가 개발한 HBM4는 2,048개 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 기존 대비 2배 확대했다.

전력 효율은 40% 이상 향상시켰다. 이를 고객 시스템에 도입하면 AI 서비스 성능을 최대 69% 개선하고, 데이터센터 전력 비용도 크게 절감할 수 있다는 게 회사 설명이다.

또한 HBM4는 10Gbps 이상 동작 속도를 구현해 JEDEC 표준(8Gbps)을 크게 상회했으며, 자사 고유의 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 양산 안정성을 확보했다.

개발을 총괄한 조주환 부사장(HBM개발 담당)은 “HBM4는 업계에 새로운 이정표를 세울 기술적 성과”라며 “AI 메모리 시장에서 경쟁 우위를 선점할 것”이라고 말했다.

업계에서는 AI 수요와 데이터 처리량 폭증으로 인해 고대역폭·고효율 메모리의 필요성이 급증하고 있는 만큼, SK하이닉스의 HBM4가 시장 판도를 바꿀 ‘게임체인저’가 될 것으로 평가하고 있다.

김주선 사장은 “HBM4는 단순한 신제품을 넘어 AI 시대의 기술 난제를 해결할 핵심 솔루션”이라며, “SK하이닉스를 글로벌 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장시키는 발판이 될 것”이라고 강조했다.