[더테크 서명수 기자]  SK하이닉스가 샌디스크와 함께 차세대 AI 메모리 기술인 HBF(High Bandwidth Flash)의 첫 표준 규격을 공개했다. HBM과 SSD의 장점을 결합한 새로운 메모리 계층을 제시하며 AI 인프라의 메모리 병목 해소와 개방형 생태계 확대에 나선다는 전략이다.

SK하이닉스는 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 개막한 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에서 샌디스크와 공동으로 HBF 표준 규격을 발표했다고 밝혔다. 지난해 8월 양사가 표준화 협력을 시작한 데 이어 올해 2월 HBF 컨소시엄을 출범한 지 약 6개월 만에 첫 결과물을 내놓은 것이다.

HBF는 HBM과 SSD 사이에 위치하는 새로운 메모리 계층으로, HBM 수준의 높은 데이터 전송 대역폭과 낸드 기반의 대용량 저장 능력을 동시에 구현하는 것이 특징이다. AI 추론과 에이전틱 AI 확산으로 데이터 처리량이 급증하는 환경에서 메모리 병목을 해결할 차세대 기술로 주목받고 있다.

이번 표준은 낸드 다이를 8단과 16단으로 적층하는 구조를 기준으로 최대 512GB 용량을 정의했으며, 대역폭은 약 0.4TB/s부터 3.0TB/s까지 세 등급(Grade 1~3)으로 구분했다.

특히 GPU와 CPU 등 다양한 프로세서와의 호환성을 높이기 위해 업계 표준 인터페이스인 UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express)를 채택했다. 이와 함께 연결 인터페이스와 전기적 특성, HBF 다이 적층 공정의 신뢰성 및 패키징 가이드, 데이터 입출력을 위한 소프트웨어 활용 지침도 함께 포함됐다.

이번 표준은 세계 최대 개방형 데이터센터 기술 협력체인 OCP(Open Compute Project)를 통해 공개돼 특정 기업이 아닌 업계 전체가 활용할 수 있는 개방형 표준으로 운영된다. 현재 HBF 컨소시엄에는 샌디스크를 비롯해 구글과 텐스토렌트 등이 참여하고 있으며, SK하이닉스는 이를 기반으로 AI 스토리지 생태계 확대를 추진할 계획이다.

SK하이닉스는 행사 기간 동안 AI 시대 메모리 아키텍처를 주제로 한 발표도 진행한다. 개막일에는 김천성 Solution개발 부문장과 강욱성 차세대 상품기획 담당이 공동 키노트를 통해 '계층형 메모리(Tiered Memory)' 기반 AI 인프라 구현 전략을 소개한다. 단일 메모리만으로는 증가하는 AI 워크로드를 감당하기 어려운 만큼, 서로 다른 특성의 메모리를 유기적으로 연결하는 새로운 메모리 구조의 필요성을 제시할 예정이다.

6일에는 임의철 Solution AT 담당이 구글 딥마인드의 샤오위 마 연구원, 샌디스크의 라지브 나가비라바 부사장과 함께 'HBF로 메모리 월을 넘다(Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash)'를 주제로 패널 토의를 진행한다. AI 인프라에서 발생하는 메모리 병목 문제와 HBF의 역할을 집중 논의할 예정이다.

전시 부스에서는 차세대 낸드 기술도 처음 공개된다. SK하이닉스는 개발 중인 10세대(V10) 375단 4D 낸드 웨이퍼와 제품을 처음 선보인다. 해당 제품은 이전 세대 대비 전력 대비 성능을 2.5배 향상했으며, AI 데이터센터에 필요한 전력 효율과 성능을 동시에 강화했다. 회사는 내년 초 이를 기반으로 한 고성능·고용량 eSSD 양산을 시작할 계획이다.

이와 함께 모바일, PC, 자동차, 로보틱스 등 다양한 분야의 메모리 제품도 함께 전시하며 AI 시대를 겨냥한 메모리 기술과 고객 협력 사례를 소개한다.

김천성 SK하이닉스 부문장은 "AI 활용이 빠르게 확산되면서 데이터 처리 구조 전반의 재설계가 필요한 시점"이라며 "HBF를 통해 메모리와 스토리지의 경계를 확장하고 시스템 전반의 효율을 높이는 새로운 아키텍처 구현에 기여하겠다"고 말했다.