[더테크 뉴스]  삼성잔자가 전세계 기술경쟁이 치열한 낸드플래시 부문에서 현재 200단이 넘는 8세대 V낸드 기술을 확보했으며, 향후 1천단 낸드 시대도 주도해나갈 것이라며 자신감을 피력했다.

삼성전자 플래시 개발실장 부사장은 8일 삼성 뉴스룸에 게재한 기고문에서 "삼성전자는 업계 최소 셀사이즈를 구현한 3차원 스케일링 기술로 가장 먼저 높이의 한계를 극복하는 회사가 될 것"이라며 이같이 밝혔다. 

낸드플래시는 전원이 없는 상태에서도 데이터를 계속 저장할 수 있는 기억장치다. 용량을 늘리기 위해 반도체 셀을 수직으로 쌓아올리는 적층 기술이 공정의 핵심이다.

V낸드는 같은 단수라도 더 낮게 쌓을수록 유리하다. 기존 수평으로 배열하던 셀 구조를 수직으로 바꾼 것이다. 송 부사장은 "V낸드가 처음 등장한 초기에는 적층한 단수가 낮아 높이에 대한 고민이 필요 없었다"면서도 "단수가 올라가면서 언젠가는 물리적 한계를 마주할 수밖에 없다"고 내다봤다.

삼성전자의 7세대 176단 V낸드는 업계의 100단 초반대 6세대급 V낸드와 높이가 비슷하다. 3차원 스케일링 등 신기술을 통해 같은 단수를 보다 낮게 구현할 수 있고, 향후 높이의 물리적 한계를 극복할 수 있는 기반 기술을 확보했다는 평가다.

송 부사장은 “삼성전자가 평면의 한계를 극복하기 위해 10년 이상의 오랜 연구끝에 2013년 첫 V낸드를 선보였듯이 우리는 언젠가 마주하게 될 높이의 한계를 가장 먼저 극복할 것”이라며 “미래 1000단 V낸드 시대에도 혁신적인 기술력을 기반으로 업계 최고의 신뢰성을 갖는 제품으로 계속 진화해 나갈 것”이라고 말했다. 

삼성전자는 업계 최소 크기의 셀을 개발해 평면적과 높이를 모두 최대 35% 가량 줄인 것으로 전해진다. 삼성전자는 100단 이상을 쌓은 뒤 10억개 이상 구멍을 뚫어내는 싱글스택 에칭 기술력도 갖추고 있다.

뿐만 아니라 데이터센터용 SSD에도 7세대 V낸드를 빠르게 확대 적용하려고 한다. 또 저전력 솔루션을 기반으로 이전 세대 대비 전력효율을 16% 끌어올려, 데이터센터를 운영하는 기업들이 전력을 줄이는 동시에 지구환경에 기여할 수 있도록 한다는 방침이다.

송 부사장은 "반도체 산업에서 우연은 없다"며 "미지의 기술을 세계 최초로 얻어내기 위해서는 인고의 시간은 물론 엄청난 자본과 투자가 필요하다"고 설명했다. 현재 삼성전자가 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체 분야 세계 1위 자리에 오르기까지는 막대한 투자와 연구개발 등이 있었기 때문이다"고 강조했다.

그는 "미래 1,000단 V낸드 시대에도 삼성전자의 V낸드는 혁신적인 기술력을 기반으로 업계 최고의 신뢰성을 갖는 제품으로 계속 진화해 나갈 것"이라고 덧 붙였다.

삼성전자는 내년 하반기 양산을 목표로 200단이 넘는 8세대 V낸드 개발에도 속도를 내고 있다. 송 부사장은 "미래 반도체 경쟁에서 확실한 기술 우위를 바탕으로 혁신적인 제품을 시장에 선보임으로써, 행복한 사회를 구현하기 위해 부단히 노력할 것이다"고 말했다.