[더테크 이승수 기자] SK하이닉스가 21일 세계 최고층인 321단 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드 플래시를 양산하기 시작했다고 발표했다. 낸드플래시는 한 개의 셀(Cell)에 몇 개의 정보를 저장하느냐에 따라 규격이 나뉘고 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. SK하이닉스는 "당사는 2023년 6월에 직전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 양산해 시장에 공급해 왔고, 이번에 300단을 넘어서는 낸드도 가장 먼저 선보이며 기술 한계를 돌파했다"며, "내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급해 시장 요구에 대응해 나갈 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 이번 제품 개발 과정에서 생산 효율이 높은 ‘3-플러그(Plug)’ 공정 기술을 도입해 적층 한계를 극복했다. 이 기술은 세 번에 나누어 플러그 공정을 진행 한 후, 최적화된 후속 공정을 거쳐 3개의 플러그를 전기적으로 연결하는 방식이다. 이 과정에서 저변형 소재를 개발하고 플러그 간 자동 정렬(alignment) 보정 기술을 도입했다. 이와 함께, 회사 기술진은 이전 세대인 238단 낸드의 개발 플랫폼을 321단에도 적용해 공정 변
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 차세대 휴대용 기기 특화 플래시 메모리 개발을 완료하고 올 3분기부터 양산에 들어갈 예정이다. SK하이닉스는 9일 온디바이스 AI용 모바일 낸드 솔루션 제품인 ZUFS 4.0 개발에 성공했다고 밝혔다. ZUFS(Zoned Universal Flash Storage)는 디지털 카메라나 휴대전화 등 전자제품에 탑재되는 플래시 메모리 제품인 UFS의 데이터 관리 효율을 향상한 제품으로 유사한 특성의 데이터를 동일한 구역(Zone)에 저장하고 관리해 운용 시스템과 저장 장치간 데이터 전송을 최적화한 제품이다. SK하이닉스는 “ZUFS 4.0은 스마트폰 등 모바일 기기에서 온디바이스 AI를 구현하는데 최적화된 메모리로 업계 최고 성능이 구현됐다”며 “당사는 HBM에 이어 낸드에서도 AI 메모리 시장을 이끌어 갈 것”이라고 강조했다. ZUFS는 스마트폰에서 생성되는 데이터를 특성에 따라 관리한다. 기존 UFS와 달리 여러 데이터를 용도와 사용 빈도 등에 따라 다른 공간에 저장해 스마트폰 OS의 작동 속도와 저장장치의 관리 효율성을 높여준다. 이를 통해 장시간 사용환경에서 스마트폰 앱 실행 시간을 기존 대비 45% 향상하고 저장장치의
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 ‘321단 4D 낸드’ 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행을 알렸다. 321단 낸드는 이전 세대보다 생산성이 높고 한 개의 칩에 더 큰 용량을 구현할 수 있다. SK하이닉스는 8일(현지시간) 플래시 메모리 서밋 2023(Flash Memory Summit)에서 321단 1Tb(테라비트) TLC((Triple Level Cell) 4D 낸드 개발 경과를 발표하고 샘플을 전시했다. 메모리 업계에서 300단 이상의 낸드 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. 회사는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획도 밝혔다. SK하이닉스 관계자는 “238단 낸드 양산을 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행 중”이라며 “SK하이닉스는 적층 한계를 돌파해 300단 낸드 시대를 열어 시장을 주도할 것”이라고 강조했다. 321단 1Tb 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층해 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있다. 따라서 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는
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