[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 ‘321단 4D 낸드’ 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행을 알렸다. 321단 낸드는 이전 세대보다 생산성이 높고 한 개의 칩에 더 큰 용량을 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 8일(현지시간) 플래시 메모리 서밋 2023(Flash Memory Summit)에서 321단 1Tb(테라비트) TLC((Triple Level Cell) 4D 낸드 개발 경과를 발표하고 샘플을 전시했다.

메모리 업계에서 300단 이상의 낸드 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. 회사는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획도 밝혔다.

SK하이닉스 관계자는 “238단 낸드 양산을 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행 중”이라며 “SK하이닉스는 적층 한계를 돌파해 300단 낸드 시대를 열어 시장을 주도할 것”이라고 강조했다.

321단 1Tb 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층해 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있다. 따라서 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘었다.

최근 메모리 시장은 생성형 AI 기술을 발전으로 더 많은 데이터를 빠르게 처리하고 저장하기 위한 고성능·고용량 메모리 수요가 급격히 증가했다.

아울러 SK하이닉스는 이번 행사에서 차세대 낸드 솔루션 제품인 PCIe 5세대(Gen5) 인터페이스를 적용한 기업용 SSD와 UFS 4.0를 소개했다. 그리고 다음 세대인 PCIe 6세대와 UFS 5.0 개발에 착수했다고 밝히며 업계 기술 트렌드를 선도하겠다는 의지를 보였다.