2025.05.22 (목)
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[더테크=조명의 기자] 값비싼 질화갈륨 반도체를 복사하듯 생산할 수 있는 길이 열렸다. 광주과학기술원(이하 지스트)는 전기전자컴퓨터공학부 이동선 교수팀은 미국 매사추세츠공과대(이하 MIT)와의 공동연구를 통해 질화갈륨 원격 에피택시 기술을 개발했다고 19일 밝혔다. 이 기술을 사용하면 웨이퍼 위에 질화갈륨 반도체를 성장시킨 후 쉽게 떼어낼 수 있어 하나의 웨이퍼로 반도체를 복사하듯 계속 생산할 수 있다. 질화갈륨(GaN)은 흔히 볼 수 있는 LED 제작에 사용되는 반도체 물질. 레이저, 트랜지스터 등으로도 이용되며, 최근 전기차에 필요한 질화갈륨 전력반도체로 크게 주목받고 있다. 반도체 구조는 크게 웨이퍼과 반도체 물질로 이루뤄진다. 어진다. 마치 건물을 세울 때 기초(웨이퍼) 위에 건물(반도체 물질)을 지을 수 있는 것처럼 고품질의 반도체 물질을 성장시키려면 실리콘, 실리콘카바이드, 사파이어 등으로 만든 웨이퍼가 필수적이다. 반도체 물질은 이 웨이퍼 위에 웨이퍼와 동일하거나 유사한 물질을 아주 잘 정렬된 형태의 박막으로 성장시키는 에피택시 기술로 만들어진다. 기존 에피택시 기술은 약 1μm 두께의 반도체물질을 얻기 위해 대략 천 배인 1mm 두께의 웨이퍼가
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