차세대 반도체 기술 ‘성큼’…고성능 p형 반도체 소자 개발

[더테크=조명의 기자] 2차원 물질 기반의 고성능 p형 반도체 소자 제작기술이 개발됐다. 초미세화 기술이 적용될 차세대 상보형 금속산화 반도체(CMOS) 산업에 사용될 것으로 기대를 모은다. 울산과학기술원(UNIST)은 반도체 소재·부품 대학원 및 신소재공학과 권순용 교수팀과 이종훈 교수팀이 몰리브덴 텔루륨화 화합물반도체(MoTe2)를 이용한 고성능 p형 반도체 소자를 제작하는 데 성공했다고 24일 밝혔다. CMOS는 p형 반도체와 n형 반도체가 상보적으로 접합된 소자다. 소비전력이 적은 반도체 소자로 PC, 스마트폰 등 일상적인 전자소자에 쓰인다. 실리콘 소재의 CMOS가 주로 사용되며, 이온을 주입하는 공정을 통해 p형, n형 반도체 소자를 구현할 수 있다. 2차원 물질은 차세대 반도체로 각광받고 있는데, 두께가 매우 얇아 같은 공정 시 구조가 쉽게 파괴된다. 특히 일반적인 3차원 금속전극을 형성할 때 계면에서 다양한 결함이 발생한다는 문제점을 가지고 있다. 이를 해결하기 위한 다양한 연구들이 진행됐지만, 대부분의 연구는 n형 반도체에 집중돼 있다. 반대로 연구팀은 p형 반도체 중 몰리브덴 텔루륨화 화합물반도체(MoTe2)를 활용, 화학기상증착법(CVD)

• 조명의 기자
• 2023-08-24 13:28