삼성전자, 9세대 V낸드 양산

[더테크=조재호 기자] 삼성전자가 23일 업계 최초로 1Tb TLC 9세대 V낸드 양산을 시작했다. 삼성전자는 이번 V낸드 메모리에 △업계 최소 크기 셀(Cell) △최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 9세대 V낸드는 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)제거 기술로 셀의 면적을 줄였는데, 크기가 줄어들면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기술과 셀 수명 연장 기술을 적용해 품질과 신뢰성을 높였다. 삼성전자의 '9세대 V낸드'는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술로 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 진행해 생산성도 개선됐다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 쌓아 한번에 홀을 만드는 기술을 말한다. 적층 단수가 많아 한번에 많이 뚫을수록 생산효율이 증가하지만 정교화·고도화가 요구된다. 9세대 V낸드는 차세대 인터페이스인 'Toggle 5.1'을 적용해 8세대 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 PCIe 5.0 인터페이스 지원해 고

• 조재호 기자
• 2024-04-23 11:00