[더테크=조재호 기자] 삼성전자가 23일 업계 최초로 1Tb TLC 9세대 V낸드 양산을 시작했다.

삼성전자는 이번 V낸드 메모리에 △업계 최소 크기 셀(Cell) △최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.

9세대 V낸드는 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)제거 기술로 셀의 면적을 줄였는데, 크기가 줄어들면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기술과 셀 수명 연장 기술을 적용해 품질과 신뢰성을 높였다.

삼성전자의 '9세대 V낸드'는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술로 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 진행해 생산성도 개선됐다.

채널 홀 에칭은 몰드층을 쌓아 한번에 홀을 만드는 기술을 말한다. 적층 단수가 많아 한번에 많이 뚫을수록 생산효율이 증가하지만 정교화·고도화가 요구된다.

9세대 V낸드는 차세대 인터페이스인 'Toggle 5.1'을 적용해 8세대 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 PCIe 5.0 인터페이스 지원해 고성능 SSD 시장에서의 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.

허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실장(부사장)은 “낸드플래시 제품의 세대수가 진화할수록 고용량·고성능 제품에 대한 고객의 니즈가 높아져 극한의 기술 혁신을 통해 생산성과 제품 경쟁력을 높였다”며 “9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 SSD 시장을 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

한편 ,삼성전자는 ‘TLC 9세대 V낸드'에 이어 하반기 'QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드'도 양산할 예정으로 AI 시대에 고용량·고성능 낸드 개발에 박차를 가할 계획이다.