[더테크 뉴스] 램리서치, 인테그리스, 미쓰비시 케미칼 그룹 회사인 젤레스트는 미국 현지시간 7월 12일 글로벌 반도체 제조업체의 차세대 반도체 생산에 사용되는 램리서치의 혁신적인 EUV 리소그래피용 건식 포토레지스트 기술의 프리커서 화학 물질의 안정적인 공급을 위한 전략적 파트너십 채결했다고 발표했다.
세 회사는 EUV 건식 레지스트 기술에 대한 이번 연구개발 파트너십을 통해 머신러닝, 인공 지능에서부터 모바일 기기에 이르기까지 차세대 디바이스의 로직 및 DRAM 개발에 협력할 예정이다.
안정적인 프로세스 케미컬 공급망은 EUV 건식 레지스트 기술을 반도체 대량 생산에 통합하는 데 있어 매우 중요하다. 이 새로운 장기적 협력은 성장 중인 건식 레지스트 기술 생태계를 더욱 확장하고 반도체 재료 선두업체로부터 글로벌 시장에 공급 지속성을 위한 규정과 함께 이중 공급원을 제공하게 된다.
또한 램리서치, 인테그리스, 젤레스트는 High-NA(high numerical aperture) EUV 패터닝을 위한 미래의 비용 효율적인 EUV 건식 레지스트 솔루션 개발을 가속화하기 위해 협력하게 된다. High-NA EUV는 향후 수십 년 동안 지속적인 디바이스 스케일링 및 반도체 기술 발전에 필요한 패터닝 기술로 널리 인식되고 있다. 건식 레지스트는 High-NA EUV의 감소된 초점 심도 요구 사항을 지원하는 데 필요한 높은 에칭 저항성과 조정 가능한 두께 스케일링 증착 및 개발을 제공한다.
램리서치 수석 부사장 겸 최고 기술 책임자(CTO) 릭 가쵸는 “건식 레지스트 기술은 EUV 리소그래피를 사용해 미래의 DRAM 노드와 로직으로의 확장에 있어 가장 큰 장벽을 무너뜨리는 획기적인 기술”이라면서 “이번 협력을 통해 램리서치의 건식 레지스트 전문 지식 및 최첨단 솔루션이 프리커서 화학 분야 두 선두 업체의 재료 과학 역량 및 신뢰할 수 있는 공급 채널과 결합하게 됐다. 이번 건식 레지스트 생태계의 중요한 확장은 이 기술을 이용해 새로운 차원의 혁신과 대량 생산을 위한 길을 열어 줄 것”이라고 밝혔다.
램리서치가 ASML 및 다국적 반도체 연구소 IMEC과의 협력으로 처음 개발한 건식 레지스트는 EUV 리소그래피의 해상도, 생산성, 수율을 개선해 차세대 DRAM 및 로직 기술 개발과 관련된 주요 문제를 해결한다. 건식 레지스트 공정은 낮은 조사량(DtS) 및 도즈 결함 성능을 제공해 EUV 스캐너 생산성을 높이고 소유 비용을 낮출 수 있다. 또한 기존의 레지스트 공정에 비해 에너지를 절감하고 원자재를 5~10배 적게 소비함으로써 지속 가능성 관련 주요 이점을 제공한다.
인테그리스 CEO 베르트랑 로이는 “램리서치의 건식 레지스트 접근 방식은 재료 단계에서 주요 혁신을 반영하며 더 나은 해상도, 개선된 비용 효율성 및 탁월한 지속 가능성 혜택을 비롯한 광범위한 이점을 제공한다”면서 “우리는 이 혁신적인 협업에 참여해 건식 레지스트의 도입을 가속화하고 고객이 이처럼 중요한 기술로 차세대 반도체 제품을 생산하는 데 신뢰할 수 있는 프로세스 재료 공급업체로 자리매김하게 된 것을 자랑스럽게 생각한다”라고 밝혔다.
젤레스트 조나단 고프 회장은 “EUV 리소그래피용 건식 레지스트를 발전시키기 위한 램리서치, 인테그리스와의 협력은 반도체 제조업체가 재료 과학 분야에서 혁신을 이룰 수 있도록 지원하고자 하는 우리의 의지를 보여준다”면서 “최근 몇 년 동안 EUV가 뛰어난 가치를 입증하는 것을 목격했으며 그 잠재력을 확대하기 위해 성장하는 생태계의 일원이 된 것을 기쁘게 생각한다”라고 말했다.
