[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 19일 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 밝혔다. 양사는 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서를 체결했다. SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4를 개발한다는 계획이다. 이번 협력에 대해 SK하이닉스는 “AI 메모리 글로벌 리더로 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다”며 “고객·파운드리·메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것”이라고 강조했다. 양사는 HBM 패키지 최하단의 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선을 진행한다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 담품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 제어한다. SK하이닉스는 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었지만 HBM4부터는 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 회사는 이를 통해 성능과 전력
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 5세대 HBM 메모리 고객 납품을 시작하며 인공지능(AI) 메모리 선도 기업의 위상을 공고히 한다. SK하이닉스는 19일 AI 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 3월 말부터 제품 공급을 시작한다고 밝혔다. 이는 회사가 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만의 성과다. HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품으로 이번에 SK하이닉스가 양산한 HBM3E는 5세대로 분류된다. HBM3E에서 E는 확장(Extended) 버전을 말한다. SK하이닉스는 “HBM3에 이어 현존 최고 성능의 D램인 HBM3E도 가장 먼저 고객사에 공급하게 됐다”며 “HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서 경쟁우위를 이어 가겠다”고 밝혔다. HBM3E는 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고의 성능을 갖췄다는 것이 회사의 설명이다. 이번 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는 FHD급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처
[더테크=조재호 기자] 삼성전자가 업계 최초로 36GB 용량의 5세대 HBM3E D램 개발에 성공하고 시장 선점에 나선다. 삼성전자는 27일 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 개발했다고 밝혔다. 이 제품은 5세대 HBM으로 24Gb(기가 비트) D램 칩을 실리콘 관통 전극 (Through-Silicon Via, TSV) 기술로 12단까지 적층한 제품이다. 이번에 개발된 HBM3E 12H은 고객사에 샘플 제공을 시작했으며 상반기 중 양산할 예정이다. HBM3E 12H는 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공한다. 성능과 용량 모두 전작인 4세대 HBM인 HBM3 8H 대비 50% 이상 개선된 제품이다. 1초에 30GB 용향의 UHD 영화 40편을 이동할 수 있는 속도를 지녔다. 삼성전자는 'Advanced TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술을 활용해 12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구혀해 HBM 패키지 규격을 만족했다. 해당 기술은 칩 두께가 얇아지면서 발생하는 휘어짐을 최소화하면서 적층 수를 늘릴 수 있어서 보다 많은 칩을
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