[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 19일 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 밝혔다.

양사는 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서를 체결했다. SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4를 개발한다는 계획이다.

이번 협력에 대해 SK하이닉스는 “AI 메모리 글로벌 리더로 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다”며 “고객·파운드리·메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것”이라고 강조했다.

양사는 HBM 패키지 최하단의 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선을 진행한다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 담품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 제어한다.

SK하이닉스는 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었지만 HBM4부터는 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 회사는 이를 통해 성능과 전력효율 등 고객사의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산할 계획이다.

이와 함께 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고 HBM 관련 고객 요청에 공동 대응하기로 했다.

김주선 SK하이닉스 AI인프라담당(사장)은 “TSMC와 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것을 시작으로 글로벌 고객사들과 개방형 협업에도 속도를 낼 것”이라며 “앞으로도 당사는 고객맞춤형 메모리 플랫폼 경쟁력을 높여 ‘토털 AI 메모리 프로바이더’의 위상을 확고히 하겠다”고 말했다.