[더테크=조재호 기자] 삼성전자가 23일 업계 최초로 1Tb TLC 9세대 V낸드 양산을 시작했다. 삼성전자는 이번 V낸드 메모리에 △업계 최소 크기 셀(Cell) △최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 9세대 V낸드는 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)제거 기술로 셀의 면적을 줄였는데, 크기가 줄어들면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기술과 셀 수명 연장 기술을 적용해 품질과 신뢰성을 높였다. 삼성전자의 '9세대 V낸드'는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술로 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 진행해 생산성도 개선됐다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 쌓아 한번에 홀을 만드는 기술을 말한다. 적층 단수가 많아 한번에 많이 뚫을수록 생산효율이 증가하지만 정교화·고도화가 요구된다. 9세대 V낸드는 차세대 인터페이스인 'Toggle 5.1'을 적용해 8세대 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 PCIe 5.0 인터페이스 지원해 고
[더테크=조재호 기자] 카이스트가 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 컴퓨터 없이도 데이터 처리가 가능한 독립 서버로 운영이 가능해 편리성이 극대화되고 탄소 배출량을 획기적으로 줄인 새로운 형태의 스마트 SSD를 개발했다. 카이스트는 정명수 전기및전자공학부 교수 연구팀이 물리적 장치의 실행이 아닌 가상으로 데이터 처리와 운영이 되는 ‘도커(Docker)’ 개념을 적용한 새로운 고성능·저전력 메모리 (PIM, Processing-In-Memory) 모델 중 하나인 ‘도커SSD’를 개발했다고 27일 밝혔다. 스마트 SSD는 여러 데이터를 처리하는 프로그램들을 데이터가 실제 존재하는 스토리지 근처에서 실행할 수 있게 함으로써 데이터 이동에 불필요한 전력 소모를 줄이고 고성능 결과를 얻을 수 있는 기술이다. 정명수 교수 연구팀은 데이터 처리 기술 중 ‘컨테이너’에 주목했다. 컨테이너는 응용프로그램과 프로그램 실행에 필요한 라이브러리를 포함한 소프트웨어 패키지로 외부 환경에 구애받지 않고 컨테이너 내부적으로 독립적인 실행 환경을 운용할 수 있다. 정명수 교수는 “불필요한 데이터 이동을 최소화해 속도를 올리고 에너지를 최적화한 메모리 모델을 확보했다”며 “사용자 이장에
[더테크=문용필 기자] 삼성전자가 고성능SSD ‘990 프로’ 시리즈의 4TB 버전을 출시한다. ‘고성능’과 ‘대용량’ 두 가지를 모두 원하는 개발자와 게이머의 니즈에 부합할 수 있을 것으로 보인다. 이번에 선보이는 990 프로 시리즈 4TB 제품은 '990 PRO 4TB'와 방열 기능을 더욱 강화한 ‘990 PRO with Heatsink 4TB’다. 앞서 삼성전자는 지난해 10월 990 프로의 1TB, 2TB를 출시한 바 있다. 회사 측에 따르면 이번 4TB 제품의 연속 읽기·연속 쓰기 성능은 각각 최대 7,450MB/s, 6,900MB/s다. 임의 읽기·임의 쓰기 속도는 각각 최대 1,600K IOPS, 1,550K IOPS(초당 입력, 출력 명령어 처리 수)다. 삼성전자는 “특히, PCle 4.0 인터페이스의 소비자용 SSD 제품 중 가장 빠른 임의 읽기 속도를 제공하여 게이밍 시 끊김 현상을 줄이고 고사양 게임의 로딩 시간을 줄여준다”고 설명했다. 또한 ‘990 PRO’ 시리즈는 전력 효율이 이전 제품 대비 최대 50% 향상됐다는 설명이다. 한편, 삼성전자는 SSD 사용자를 위한 서비스도 강화한다. 삼성 매지션(Samsung Magician) 소프트
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 ‘321단 4D 낸드’ 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발을 진행을 알렸다. 321단 낸드는 이전 세대보다 생산성이 높고 한 개의 칩에 더 큰 용량을 구현할 수 있다. SK하이닉스는 8일(현지시간) 플래시 메모리 서밋 2023(Flash Memory Summit)에서 321단 1Tb(테라비트) TLC((Triple Level Cell) 4D 낸드 개발 경과를 발표하고 샘플을 전시했다. 메모리 업계에서 300단 이상의 낸드 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. 회사는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산하겠다는 계획도 밝혔다. SK하이닉스 관계자는 “238단 낸드 양산을 통해 축적한 기술력을 바탕으로 321단 낸드 개발을 순조롭게 진행 중”이라며 “SK하이닉스는 적층 한계를 돌파해 300단 낸드 시대를 열어 시장을 주도할 것”이라고 강조했다. 321단 1Tb 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb(기가비트) 대비 생산성이 59% 높아졌다. 데이터를 저장하는 셀을 더 높은 단수로 적층해 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있다. 따라서 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는
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