[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 AI 메모리 기술력과 시장 현황, 청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔다. 회사는 향후 글로벌 파트너사들과의 전략적인 협업을 통해 글로벌 고객맞춤형 메모리 솔루션을 제공할 계획이다. SK하이닉스는 경기도 이천 본사에서 AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략을 주제로 한 기자간담회를 2일 진행했다. 간담회는 곽노정 사장의 오프닝 발표를 시작으로 김주선 사장의 AI 메모리 비전, 최우진 부사장의 SK하이닉스 HBM 핵심 기술력과 미국 어드밴스드 패키징 추진, 김영식 부사장의 청주 M15x와 용인 클러스터 투자 등 3개 발표 세션으로 진행됐다. 곽 사장은 간담회를 통해 AI 시대를 맞아 SK하이닉스의 전략을 언급하며 현재 AI가 데이터센터 중심이지만 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스 AI로 빠르게 확산될 것이라고 전했다. 이에 따라 AI에 특화된 초고속·고용량·저전력 메모리 수요가 증가할 것으로 보고 SK하이닉스는 HBM, TSV 기반 고용량 D램, 고성능 eSSD 등 각 제품별 기술 리더십을 확보할 방침이다. 현재 SK하이닉스 HBM은 생산 측면에서 보면 올해 이미 솔드아웃인데 내년 역시 거
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 올해 1분기 사상 최대 매출을 기록했다. HBM 등 AI 메모리 호조와 함께 eSSD 판매 확대 및 제품가 상승으로 낸드 부문도 흑자 전환에 성공했다. SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고 올해 1분기 매출 12조4296억원, 영업이익 2조8860억원, 순이익1조9170억원의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. 영업이익률은 23%, 순이익률은 15%다. 이번 매출은 회사의 1분기 실적 중 최대이며 영업이익도 지난 2018년 이후 두 번째로 높은 수치를 기록했다. SK하이닉스는 장기간 지속된 다운턴에 벗어나 완연한 실적 반등 추세를 보이는 것으로 전망했다. 아울러 회사 관계자는 “HBM 등 AI 메모리 기술력을 바탕으로 AI 서버향 제품 판매량이 늘어나고 수익성 중심 경영을 지속한 결과 전분기 대비 영업이익이 734% 증가했다”며 “낸드도 프리미엄 제품인 eSSD 판매 비중이 확대되고 평균판매단가가 상승해 흑자 전환에 성공했다”고 밝혔다. SK하이닉스는 향후 AI 메모리 수요가 지속해서 늘어나고 하반기부터 일반 D램 수요도 회복하면서 메모리 시장이 안정적인 성장세를 이어갈 것으로 전망했다. 회사는 AI 메모리 수요 확대에 맞춰
[더테크=조재호 기자] 삼성전자가 23일 업계 최초로 1Tb TLC 9세대 V낸드 양산을 시작했다. 삼성전자는 이번 V낸드 메모리에 △업계 최소 크기 셀(Cell) △최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다. 9세대 V낸드는 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)제거 기술로 셀의 면적을 줄였는데, 크기가 줄어들면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기술과 셀 수명 연장 기술을 적용해 품질과 신뢰성을 높였다. 삼성전자의 '9세대 V낸드'는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품이다. '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술로 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 진행해 생산성도 개선됐다. 채널 홀 에칭은 몰드층을 쌓아 한번에 홀을 만드는 기술을 말한다. 적층 단수가 많아 한번에 많이 뚫을수록 생산효율이 증가하지만 정교화·고도화가 요구된다. 9세대 V낸드는 차세대 인터페이스인 'Toggle 5.1'을 적용해 8세대 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했다. 삼성전자는 PCIe 5.0 인터페이스 지원해 고
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 19일 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화하기 위해 대만 TSMC와 긴밀히 협력하기로 했다고 밝혔다. 양사는 최근 대만 타이페이에서 기술 협력을 위한 양해각서를 체결했다. SK하이닉스는 TSMC와 협업해 2026년 양산 예정인 HBM4를 개발한다는 계획이다. 이번 협력에 대해 SK하이닉스는 “AI 메모리 글로벌 리더로 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다”며 “고객·파운드리·메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것”이라고 강조했다. 양사는 HBM 패키지 최하단의 베이스 다이(Base Die)의 성능 개선을 진행한다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 담품 칩인 코어 다이(Core Die)를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다. 베이스 다이는 GPU와 연결돼 HBM을 제어한다. SK하이닉스는 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었지만 HBM4부터는 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 회사는 이를 통해 성능과 전력
[더테크=조재호 기자] 두산이 메모리·시스템 반도체, 5G 통신, 스마트 디바이스 등 다양한 제품에 적용할 수 있는 하이엔드 동박적층판(CCL) 라인업을 선보이며 북미시장에서 적극적인 마케팅에 나선다. 두산은 미국 캘리포니아 애너하임 컨벤션센터에서 9일(현지시간)부터 11일까지 진행되는 ‘IPC APEX EXPO 2024’에 참가한다고 9일 밝혔다. IPC APEX EXPO 2024는 북미 최대 규모 인쇄회로기판(PCB) 및 반도체 패키징 기판 전시회이다. 올해는 레조낙, EMC, TUC 등 CCL을 제조하는 글로벌 경쟁사를 비롯해 한화정밀기계 등 430여 기업이 참가한다. 이번 전시회에서 두산은 △메모리·시스템 반도체 패키지용 CCL △통신네트워크용 CCL △스마트 디바이스용 연성동박적층판(FCCL) 등의 다양한 하이엔드 CCL 제품을 선보인다. 반도체 패키지용 CCL은 칩과 메인보드를 전기적으로 접속해 반도체를 보호하는 소재로 DRAM, Nand 등 메모리 반도체용과 CPU, GPU, AP 등 시스템 반도체용으로 구분된다. 전기신호를 빠르고 정확하게 전달하고 고온의 반도체 공정을 견딜 만큼 강도가 높다. 통신네트워크용 CCL은 데이터센터에 적용되는 제품으
[더테크=전수연 기자] 국내 연구진이 공정 비용은 낮고 초저전력 동작이 가능해 기존 메모리를 대체하거나 차세대 AI 하드웨어를 위한 ‘뉴로모픽 컴퓨팅(Neuromorphic Computing)’ 구현에 사용될 메모리 소자를 개발했다. KAIST는 전기및전자공학부 최신현 교수 연구팀이 디램(DRAM), 낸드(NAND) 플래시 메모리를 대체할 수 있는 ‘초저전력 차세대 상변화 메모리 소자(Phase Change Memory, 열을 사용해 물질의 상태를 비정질과 결정질로 변경하고 이를 통해 저항 상태를 변경하면서 정보를 저장·처리하는 메모리 소자)를 개발했다고 4일 밝혔다. 기존 상변화 메모리는 값비싼 초미세 반도체 노광공정을 통해 제작하며 소모 전력이 높은 문제점이 있었다. 최 교수 연구팀은 상변화 물질을 전기로 국소 형성하는 방식을 통해 제작한 초저전력 상변화 메모리 소자로 노광공정 없이 매우 작은 나노미터 스케일의 상변화 필라멘트를 자체 형성했다. 이는 공정 비용이 매우 낮을 뿐 아니라 초저전력 동작이 가능하다는 장점이 있다. 현재 사용되고 있는 메모리인 디램은 속도가 매우 빠르지만 전원이 꺼지면 정보가 사라지는 휘발성 특징을 갖고 있으며 저장장치로 사용되는
[더테크=전수연 기자] SK하이닉스가 미국 인디애나주 웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고 퍼듀(Purdue) 대학교 등과 협업한다. SK하이닉스는 미국 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하고 이 사업에 약 5조2000억을 투자한다고 4일 밝혔다. SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나 주, 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다. 또한 인디애나 공장에서 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산한다. 이를 통해 SK하이닉스는 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장서고 인디애나에 건설하는 생산기지, R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여할 방침이다. AI 메모리 시장 주도권을 확보한 SK하이닉스는 기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 최적의 부지를 물색해왔다. 미국은 AI 분야 빅테크 고객들이 집중돼 있고 첨단 후공정 분야 기술 연구도 활발히 진행되고 있다. 다양한 후보지를 검토한 끝에 SK하이닉스
[더테크=전수연 기자] 삼성전자가 2023년 연간 매출 258.94조원, 영업이익 6.57조원을 기록했다. 4분기 연말 성수기 경쟁 심화로 스마트폰 출하량이 감소했지만, 메모리 가격 상승과 디스플레이 제품 판매 호조로 전사 매출은 전 분기 대비 0.6% 증가했다. 삼성전자는 연결 기준 매출 67.78조원, 영업이익 2.82조원의 2023년 4분기 실적을 31일 발표했다. 영업이익의 경우 세트 제품 경쟁이 심화되고 플래그십 스마트폰 출시 효과가 감소한 가운데 메모리 실적이 큰 폭으로 개선되며 디스플레이 호실적이 지속돼 전 분기 대비 0.39조원 증가한 2.82조원을 기록했다. 4분기 실적 가운데 DS(Device Solutions) 부문은 매출 21.69조원, 영업이익 –2.18조원을 기록했다. 메모리는 고객사 재고가 정상화되는 가운데 PC, 모바일 제품의 메모리 탑재량이 증가하고 생성형 AI 서버 수요가 증가하면서 전반의 수요 회복세를 보였다. 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래 △HBM(High Bandwidth Memory) △DDR5(Double Data Rate 5) △LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 지난해 4분기 34660억원의 영업이익을 기록하며 흑자 전환에 성공했다. 반도체 업황 반등이 본격화된 가운데 2022년 4분기부터 이어온 영업적자에서 1년 만에 벗어났다. SK하이닉스는 25일 실적발표회를 열고 지난해 4분기 매출 11조3055억원, 영업이익 3460억원, 순손실 1조3795억원의 경영실적을 기록했다고 밝혔다. 영업이익율을 3%, 순손실률은 12%다. 이번 실적에 대해 SK하이닉스는 “지난해 4분기 AI 서버와 모바일향 제품 수요가 늘고 평균판매단가(ASP)가 상승하는 등 메모리 시장 환경이 개선됐다”며 “이와 함께 그동안 지속해온 수익성 중심의 경영활동이 효과를 내면서 1년 만에 분기 영업흑자를 기록했다”고 설명했다. 회사는 지난해 분기까지 이어진 누적 영업적자를 줄여 2023년 연간 실적은 매출 32조7657억원, 영업손실 7조7303억원, 순손실 9조1375억원을 기록했다. 지난해 SK하이닉스는 D램 부문에서 시장을 선도하는 기술력을 바탕으로 고객 수요에 적극 대응한 결과 주력제품인 DDR5와 HBM3 매출이 전년 대비 각각 4배, 5배 증가했다고 밝혔다. 다만, 상대적으로 업황 반등이 늦어진 낸드에
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스가 CES 2024에 앞서 진행된 미디어 컨퍼런스에서 AI 시대를 맞이해 메모리반도체의 중요성을 강조하면서 회사의 미래 비전을 밝혔다. 회사는 기존 AI 메모리 공급과 동시에 고객에게 특화된 메모리 솔루션을 제공할 예정이다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사(사장)은 8일(현지시각) 세계 최대 가전·IT 전시회인 CES 2024 개막에 앞서 진행된 미디어 컨퍼런스에서 ‘AI의 원동력 메모리반도체(Memory, The Power of AI)’를 주제로 회사의 미래 비전에 대해 발표했다. 이 자리에서 곽 사장은 “앞으로 생성형 AI가 보편화되면서 메모리의 중요성이 더욱 커질 것”으로 전망하고 “회사는 세계 최고 기술력에 기반한 제품들을 ICT 산업에 공급하면서 '메모리 센트릭 AI 시대(Memory Centric AI Everywhere)'를 이끌고 있다”고 강조했다. 아울러 곽 사장은 “고객에게 특화된 AI 메모리 솔루션을 제공하기 위한 ‘고객맞춤형 메모리 플랫폼(Custom Memory Platform)’을 선보일 것”이라고 밝혔다. 미디어 컨퍼런스에서 SK 하이닉스는 ICT 산업이 PC와 모바일을 넘어 클라우드 기반 AI 시대로
[더테크 뉴스] SK하이닉스가 CES 2024 부스 배치도를 공개했다. 회사는 AI 시대의 메모리 반도체의 중요성을 부각하고 관람객 친화적인 놀이공원을 테마로 전시관을 꾸리고 HBM3E 등 주력 AI 제품을 전시한다. SK하이닉스는 오는 9일부터 12일까지 미국 라스베이거스에서 열리는 세계 최대 ICT 전시회인 ‘CES 2024’에서 미래 AI 인프라의 핵심인 초고성능 메모리 기술력을 선보인다고 3일 밝혔다. 회사는 “이번 CES에서 ‘메모리 센트릭(Memory Centric)’으로 대변되는 미래 비전을 부각할 것”이라며 “AI시대 기술 진보에 따라 메모리 반도체의 중요성과 함께 시장을 선도하는 당사의 경쟁력을 세계에 알리고자 한다”고 밝혔다. 메모리 센트릭이란 ICT 기기에서 메모리 반도체가 중심적인 역할을 하는 환경을 말한다. SK하이닉스는 SK㈜, SK이노베이션, SK텔레콤 등 SK그룹 주요 멤버사와 함께 ‘SK원더랜드’를 타이틀로 공동 전시관을 꾸리고 HBM3E 등 AI 메모리 제품들을 전시한다. HBM3E는 지난해 8월 개발한 현존 최고 성능의 메모리로 SK하이닉스는 올해 상반기부터 제품을 양산해 고객사에 공급할 계획이다. 김주선 SK하이닉스 AI인
[더테크=조재호 기자] SK하이닉스의 3분기 실적이 공개됐다. 글로벌 공급망 재편과 경기 침체의 영향으로 다소 저조한 성적표였지만 2분기보다 개선된 내용으로 반등 가능성을 높였다. SK하이닉스는 26일 실적발표회를 열고 3분기 매출 9조662억원과 영업손실 1조7920억원, 순손실 2조 1847억원의 경영실적을 달성했다고 밝혔다. 영업손실률은 20%, 순손실률은 24%로 직전 분기보다 손실 폭을 줄였다. SK하이닉스는 고성능 메모리 제품을 중심으로 시장 수요가 증가하면서 경영실적은 지난 1분기를 저점으로 개선되는 상황이라고 설명했다. AI용 메모리인 HBM3와 고용량 DDR5, 모바일 D램 등 주력 제품의 판매가 호조를 보이면서 지난 분기 대비 매출은 24% 증가하고 영업손실은 38% 감소했다고 덧붙였다. 아울러 회사는 1분기 적자로 돌아섰던 D램이 2개 분기 만에 흑자 전환한 데 의미를 뒀다. 매출 증가 추세에 대해서도 D램과 낸드 판매량 증가와 함께 평균판매가격(ASP) 상승이 큰 영향을 미쳤다고 분석했다. 제품별로 보면 D램은 2분기 대비 출하량이 20% 늘면서 ASP도 10% 상승했다. 낸드도 고용량 모바일 제품과 SSD 중심으로 출하량 증가했다. A
(주)빅테크 | 제호 : 더테크 (THE TECH) | 신문등록번호: 서울아53318 | 등록ㆍ발행일자: 2020.10.7 | 사업자번호 : 168-86-01987
발행ㆍ편집인 : 서명수 | 개인정보관리 책임자 : 이지영 | 청소년보호 책임자 : 이지영
주소 : 서울특별시 마포구 동교로 162-10, 4층 (서교동, 이혜2 빌딩) | 전화번호: 02-6952-6992 | 기사제보 : press@the-tech.co.kr
Copyright @더테크 (THE TECH) Corp. All rights reserved.
UPDATE: 2024년 05월 02일 18시 54분
