[더테크=전수연 기자] SK하이닉스가 미국 인디애나주 웨스트라피엣(West Lafayette)에 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고 퍼듀(Purdue) 대학교 등과 협업한다.

SK하이닉스는 미국 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하고 이 사업에 약 5조2000억을 투자한다고 4일 밝혔다.

SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나 주, 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이 같은 계획을 공식 발표했다. 또한 인디애나 공장에서 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산한다.

이를 통해 SK하이닉스는 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장서고 인디애나에 건설하는 생산기지, R&D 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여할 방침이다.

AI 메모리 시장 주도권을 확보한 SK하이닉스는 기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 최적의 부지를 물색해왔다. 미국은 AI 분야 빅테크 고객들이 집중돼 있고 첨단 후공정 분야 기술 연구도 활발히 진행되고 있다.

다양한 후보지를 검토한 끝에 SK하이닉스는 인디애나 주를 최종 투자지로 선정했다. 주 정부가 투자 유치에 적극 나선 것과 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라도 풍부하다. 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점도 높은 평가를 받았다.

이와 함께 SK하이닉스는 인디애나 주와 지역사회 발전을 위한 파트너십을 구축하며 퍼듀 연구재단, 지역 비영리단체, 자선단체의 활동도 지원한다.

한편 SK하이닉스는 계획된 국내 투자도 차질 없이 추진한다. 회사가 120조원을 투자해 생산기지를 건설하는 용인 반도체 클러스터는 현재 부지 조성 공사가 한창이다. 

회사는 이곳에 내년 3월 첫 팹을 착공해 2027년 초 완공하고 소부장 생태계를 강화하기 위해 소재·부품·장비 중소기업의 기술개발·실증·평가 등을 지원하는 미니팹(반도체 소재·부품·장비 등을 실증하기 위해 300mm 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설)도 건설할 계획이다.