[더테크=조명의 기자] GaN 기반 전력 디바이스 제품군을 개발하는 팹리스, 청정 반도체 기술 기업 CGD(Cambridge GaN Devices)는 최근 웨이퍼 상의 IC 제조 위치를 식별할 수 있도록 상용 코드 리더기로 판독할 수 있는 2D 바코드를 업계 최초로 각 GaN 칩 상에 통합했다고 발표했다.

이를 통해 CGD는 패키징된 디바이스를 스캔해 회로와 배치를 식별하는 것은 물론, 개별 다이가 만들어진 웨이퍼의 위치를 정확하게 파악할 수 있게 됐다. 이는 프로세스의 견고성과 신뢰성에 관한 중요 데이터를 제공할 수 있는 의미 있는 성과라는 평가다. 

자히드 안사리 CGD 부사장은 “우리는 프로세스에 대한 완벽한 소유권을 확보하고 신뢰성 문제를 해결하기 위해 패키징 팀과 협력해 각각의 2D 바코드를 통합할 수 있도록 설계했다”며 “예를 들어 웨이퍼 가장자리가 수율이 가장 낮다는 사실 외에도 웨이퍼 위치에 따라 디바이스 성능에 어떠한 영향을 미치는지 파악할 수 있게 됐으며, 이러한 정보는 파운드리에 피드백되어 지속적으로 제조 프로세스를 개선할 수 있다”라고 설명했다. 

이어 “저렴한 상용 바코드 리더기를 사용해 디바이스를 즉시 식별할 수 있게 됨으로써 위조방지 조치를 강화할 수 있다”라고 덧붙였다.

조르지오 롱고바르디 CGD CEO는 “CGD의 ICeGaN HEMT의 견고성 및 신뢰성을 입증할 수 있는 데이터는 상당히 축적돼 있지만, GaN은 기존의 전력 전자 애플리케이션용 실리콘과 비교하면 여전히 상대적으로 새로운 기술”이라며 “2D 바코드를 통합함으로써 제조 공급망에 매우 신속하게 피드백을 제공하고, 이를 통해 파트너십을 더욱 공고히 함으로써 대량생산을 위한 확장에 도움이 될 것으로 기대한다”라고 밝혔다.