ADI, 오리건주 반도체 팹 설비 확장에 10억 달러 투자

반도체 생산량 2배 증대
“하이브리드 제조 모델의 글로벌 탄력성 강화”

 

[더테크=조명의 기자] 아나로그디바이스(이하 ADI)는 미국 오리건주 비버튼에 있는 반도체 웨이퍼 팹 설비 확장을 위해 10억 달러 이상을 투자한다고 28일 밝혔다. 

 

1978년에 완공된 비버튼 팹은 생산물량 기준으로 ADI의 가장 큰 웨이퍼 제조시설이다. 산업, 자동차, 통신, 소비가전, 헬스케어 등의 산업 분야에 제품을 공급하고 있다.

 

이번 설비 투자로 클린룸 공간은 약 11만8000제곱피트(약 1만1000제곱미터)로 늘어나고, 180 나노미터 이상의 첨단 미세공정 노드에서 제작되는 ADI 자체 생산량은 거의 두 배로 증대된다. 신규 고용으로 오리건주에서 근무하는 ADI 직원 수도 현재 약 950명에서 크게 증가할 것으로 예상된다.

 

이번 투자의 10% 이상은 효율을 높이고 환경친화적인 화학물질을 활용하기 위한 최신 첨단 팹 장비 구매에 사용된다. ADI는 설비 확장을 통해 생산량을 거의 두 배로 늘리면서도 절대 온실가스 배출량은 약 75%, 생산 단위당 용수 사용량은 약 50% 줄이는 것을 목표로 한다고 설명했다.
 
빈센트 로취 ADI CEO 겸 회장은 “ADI는 비버튼 팹 시설을 확장함으로써 핵심 산업 분야에서 생산 능력을 높이고 반도체 지원법(CHIPS Act)의 취지에 맞춰 미국내 제조를 활성화할 계획”이라며 “자체 팹과 외부 파운드리를 함께 이용하는 ADI의 하이브리드 제조 모델의 글로벌 탄력성을 강화할 것”이라고 밝혔다.

 

한편 ADI 비버튼 시설에는 반도체 장비 유지관리와 관련해 각각 25명 내외의 학생들로 구성되는 그룹을 대상으로 8주 과정의 교육을 제공하는 인재 개발 교육 센터인 반도체 선행 제조 대학(SAMU)이 유치될 예정이다. 교육 센터는 미군 퇴역 군인, 재취업 희망자, 기존 ADI 공장 작업자 등 지역 사회의 다양한 그룹에게 반도체 제조 기초 및 전문성 심화 교육 등을 제공한다. 


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