[더테크=문용필 기자] 삼성전자가 단일칩 기준으로 역대 최대 용량의 DDR5 D램 개발에 성공했다. 글로벌 ‘메모리 1위’업체로서 D램 미세공정 경쟁에 확실한 존재감을 드러냈다는 점도 의미가 있지만 반도체 사업에 뛰어든 지 40년 만에 50만배의 용량을 늘리게 됐다는 역사적 의미가 담겨있다.

삼성전자는 업계 최초로 12나노급 32Gb DDR D램을 개발했다고 1일 밝혔다. 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배의 용량을 구현해 12GB 모듈을 TSV 공정없이 제작할 수 있게 됐다. TSV(실리콘 관통 전극)란 칩을 얇게 간 다음 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 패키징 기술을 의미한다.

해당 제품은 128G 모듈을 기준으로 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비전력 개선이 가능하기 때문에 데이터 센터 등 전력효율을 중요시하는 IT 기업들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다고 삼성전자 측은 밝혔다.

특히 올해는 삼성전자가 반도체 사업에 진출한 지 40년을 맞는 해이기도 하다. 지난 1983년 64Kb D램을 개발한 점을 상기해보면 40년 만에 D램 용량을 50만 배 늘린 셈이다.

삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 나간다는 계획이다. 황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 “이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보하게 됐다”며 “삼성전자는 향후에도 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것”이라고 언급했다.