[더테크=문용필 기자] 삼성전자가 ‘초거대 AI’ 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션들을 공개했다. 실리콘밸리에서 열린 ‘메모리 테크 데이’를 통해서다.

삼선전자는 20일(현지시간) 실리콘밸리 맥에너리 컨벤션 센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’을 개최했다. 주제는 '메모리 역할의 재정의‘(Memory Reimagined)였다.

이번 행사에서는 클라우드와 에지 디바이스, 차량 등 응용처별 기술 트렌드가 공유됐으며 초고성능 HBM3E D램 ’샤인볼트’와 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 ‘LPDDR5X CAMM2’, 스토리지 가상화를 통해 분할 사용할 수 있는 ‘Detachable AutoSSD’(탈부착 가능한 차량용 SSD)‘ 등이 공개됐다.

이 중 샤인볼트는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하는데 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터 처리가 가능하다는 이야기다.

삼성전자는 적층된 칩 사이를 절연시키고 충격으로부터 연결 부위를 보호하기 위해 사용하는 ’비전도성 접착 필름‘(NCF) 기술을 최적화 해 칩사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했다. 아울러 열전도를 극대화해 열특성도 개선했다는 설명이다.

회사 측은 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다고 밝혔다. 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.

’Detachable AutoSSD’의 경우엔 최대 6,500MB/s의 연속 읽기 속도를 지원하고 4TB 용량을 제공한다. 탈부착이 가능한 폼팩터로 구현돼 SSD 교체가 손쉽다. 삼성전자는 이외에도 차량용 고대역폭 GDDR7과 패키지 크기를 줄인 LPDDR5X 등을 선보였다.

삼성전자 메모리사업부 이정배 사장은 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것”이라며 “무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

또한 이 사장은 이번 행사에서 새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다고 강조했다.

지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중인 상황이다. 아울러 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비하고 있으며 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장한다는 계획이다.

또한, 삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이며 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다고 밝혔다. 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고 단수를 높이는 핵심 기술 ‘채널 홀 에칭’으로 1,000단 V낸드 시대를 준비해 나가겠다고도 강조했다.