[더테크=문용필 기자] 삼성전자가 유럽에서 첨단 공정 로드맵과 전장 등의 파운드리 전략을 공개했다.

삼성전자는 19일(현지시간) 독일 뮌헨에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2023’을 진행했다. 올해들어서는 지난 6월 미국, 7월 한국, 이달 일본에 이어 4번째로 개최된 것.

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삼성전자는 이번 포럼에서 최첨단 2나노 공정부터 8인치 웨이퍼 활용 레거시 공정에 이르기까지 다양한 맞춤형 솔루션을 선보였다. 아울러 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너들은 부스 전시를 통해 최신 파운드리 기술 트렌드와 향후 발전 방향을 공유했다고 회사 측은 전했다.

삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장은 “차량용 반도체 시장에 최적화된 공정을 적기에 개발해 자율주행 단계별 인공지능(AI) 반도체부터 전력반도체, MCU(Micro Controller Unit) 등을 고객 요구에 맞춰 양산해 나갈 계획”이라며 “삼성전자만의 차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율주행차 시대를 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.

삼성전자는 올해 안에 최첨단 2나노 전장 솔루션 양산 준비를 완료한다는 방침이다. 아울러 차세대 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM)과 8인치 BCD 공정 포트폴리오를 확대한다. BCD 공정이란 Bipolar(아날로그 신호제어)와 CMOS(디지털 신호제어), DMOS(고전압 관리) 트랜지스터를 하나의 칩에 구현한 것으로 주로 전력 반도체 생산에 활용된다.

이번 포럼에서 삼성전자는 업계 최초로 5나노 eMRAM 개발 계획을 밝히는 등 차세대 전장 파운드리 기술을 선도하겠다는 포부를 나타냈다. eMRAM은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작 가능한 전장용 차세대 핵심 메모리 반도체다.

앞서 삼성전자는 지난 2019년 업계 최초로 28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM을 탑재한 제품을 양산한 바 있으며, 현재 2024년 완료를 목표로 AEC-Q100 Grade 1에 맞춰 핀펫(FinFET) 공정 기반 14나노 eMRAM을 개발 중이다. 오는 2026년엔 8나노·2027년 5나노까지 eMRAM 포트폴리오를 확대한다는 계획이다.

또한, 삼성전자는 현재 양산중인 130나노 전장 BCD 공정을 2025년 90나노까지 확대할 예정이다. 이와 함께 DTI(Deep Trench Isolation) 기술을 활용해 전장향 솔루션에 적용되는 고전압을 기존 70볼트(Volt)에서 120볼트로 높일 예정이며 130나노 BCD 공정에 120볼트를 적용한 공정설계키트(PDK)를 2025년 제공할 계획이다.

한편, 삼성전자는 다음달 14일부터 이틀간 서울 서초 사옥에서 ‘삼성 개발자 콘퍼런스 코리아 2023’(Samsung Developer Conference Korea 2023, SDC23 Korea)를 개최한다. 올해로 10주년을 맞이한 행사다.

인공지능(AI)과 플랫폼, 통신, 보안, 데이터, 헬스케어 등 제품에 탑재한 다양한 소프트웨어 연구분야를 다루게 될 이번 행사에는 소프트웨어 개발자라면 누구나 참석할 수 있으며, 다양한 주제별 세션에 참여할 수 있다. ‘생성형 AI’를 이용한 소프트웨어 개발 생산성 향상을 논의하는 세션도 마련돼 있다.

삼성리서치 S/W혁신센터장인 정진민 부사장은 “이번 행사는 삼성전자 임직원뿐만 아니라 소프트웨어를 즐기는 모든 개발자들과 함께 성장할 수 있는 자리로 만들어 나갈 것”이라고 밝혔다.